A3I35D012WNR1

A3I35D012WNR1 от NXP

Общее описание

A3I35D012WNR1 — это RF LDMOS транзистор от компании NXP, предназначенный для использования в приложениях с радиочастотами. Он оптимизирован для работы в диапазонах от 3.2 ГГц до 4 ГГц, обеспечивая мощность выхода до 12 Вт. В корпусе TO-270WB-17, данный компонент идеально подходит для использования в телекоммуникационных системах и базовых станциях.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: До 12 Вт, что делает устройство мощным решением для высокочастотных приложений.
• Прочный корпус: TO-270WB-17 обеспечивает надежность и защиту в жестких условиях эксплуатации.
• Высокая линейность: Обеспечивает отличные характеристики передачи сигнала.

Недостатки

• Потребность в охлаждении: Для обеспечения стабильности работы может потребоваться система охлаждения.
• Сложность в монтаже: Surface mount тип корпуса может требовать специализированных инструментов и навыков для адекватного монтажа.

Типовое использование

• Базовые станции мобильной связи
• Радиопередатчики
• Телекоммуникационные системы
• Беспроводные коммуникационные устройства

Рекомендации по применению

• Следует обеспечить надлежащую систему охлаждения для предотвращения перегрева.
• Убедитесь в соблюдении всех технических характеристик, особенно связанных с напряжением и рабочими частотами.
• При монтаже используйте подходящие методики пайки для компонентов типа surface mount.

Основные технические характеристики

• Частотный диапазон: 3.2 ГГц ~ 4 ГГц
• Мощность на выходе: 12 Вт
• Коэффициент усиления: 27.8 дБ
• Тестовое напряжение: 28 В
• Тестовый ток: 138 мА
• Рейтинг по напряжению: 65 В
• Ток: 10 µА

Возможные аналоги

• MRFE6VS25GNR1 от NXP
• MRF6VP21KHR6 от NXP

Этот RF LDMOS транзистор A3I35D012WNR1 от NXP предлагает высокую производительность и надежность для применения в радиочастотных и телекоммуникационных системах, обеспечивая надежную работу в жестких условиях эксплуатации.