A3G26D055N-2110

A3G26D055N-2110 от NXP

Общее описание

A3G26D055N-2110 — транзистор RF MOSFET на основе нитрида галлия (GaN), разработанный и произведенный компанией NXP. Этот транзистор предназначен для работы на частоте от 100 МГц до 2,69 ГГц и имеет выходную мощность 8 Вт. Он поставляется в компактном корпусе 6-PDFN (7x6.5 мм).

Преимущества

• Высокая выходная мощность (8 Вт) при малых размерах.
• Широкий частотный диапазон (от 100 МГц до 2,69 ГГц).
• Высокий коэффициент усиления (13.9 дБ).
• Эффективная работа при высоком напряжении (48 В).
• Компактный корпус, подходящий для поверхностного монтажа.

Недостатки

• Требуется надлежащий теплоотвод для оптимальной работы.
• Может быть чувствителен к электростатическим разрядам (ESD), требует осторожной работы и защиты.

Типовое использование

• Базовые станции для мобильной связи
• Усилители мощности
• СВЧ устройства
• Радиолокационные системы

Рекомендации по применению

• Рекомендуется использовать прилагаемую техническую документацию для правильной сборки и оптимизации схемы.
• При проектировании печатной платы уделите особое внимание теплоотводу.
• Используйте экранирование для уменьшения электромагнитных помех.

Основные технические характеристики

• Технология: GaN
• Частотный диапазон: 100 МГц ~ 2,69 ГГц
• Коэффициент усиления: 13.9 дБ
• Напряжение теста: 48 В
• Выходная мощность: 8 Вт
• Напряжение номинальное: 125 В
• Упаковка / Корпус: 6-PDFN (7x6.5 мм)

Возможные аналоги

• CGH40006P от Wolfspeed
• MRF7S15100HR3 от NXP
• PXF605E от Infineon

Этот компонент идеально подходит для высокочастотных усилителей и радиолокационных систем, обеспечивая высокий уровень производительности и надежности.