A2V09H400-04NR3

A2V09H400-04NR3 от NXP Semiconductors

Общее описание

A2V09H400-04NR3 – это высокочастотный LDMOS транзистор от компании NXP Semiconductors, предназначенный для работы в диапазоне частот от 700 до 960 МГц. Этот компонент специально разработан для применения в мощных RF усилителях, обеспечивая выходную мощность до 400 Вт. A2V09H400-04NR3 отличается высокой эффективностью и надежностью, что делает его отличным выбором для телекоммуникационных систем и базовых станций.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: Обеспечивает мощность до 400 Вт, что идеально подходит для мощных RF приложений.
• Широкий диапазон частот: Работает в диапазоне от 700 до 960 МГц, что охватывает основные полосы для телекоммуникационных систем.
• Высокая линейность и низкий коэффициент шума: Обеспечивает высококачественную передачу сигнала и минимальные потери.
• Повышенная эффективность: Способствует снижению потребляемой мощности и тепловыделения.

Недостатки

• Требуется точное управление тепловым режимом: Необходимо качественное охлаждение для обеспечения длительной и стабильной работы.
• Высокая сложность монтажа: Требует специальных навыков и оборудования для установки и тестирования.

Типовое использование

• Усилители мощности для базовых станций сотовой связи.
• Мощные RF усилители в телекоммуникационном оборудовании.
• Радиочастотные передающие системы.
• Армейские и промышленные коммуникационные системы.

Рекомендации по применению

• Убедитесь в наличии достаточного охлаждения для предотвращения перегрева компонента.
• Используйте качественные материалы для монтажа, чтобы избежать возможных повреждений на этапе установки.
• Проводите регулярный мониторинг рабочих параметров, чтобы своевременно обнаружить возможные отклонения и предотвратить сбои.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: LDMOS
• Конфигурация: Одинарный
• Диапазон частот: 700 - 960 МГц
• Выходная мощность: 400 Вт
• Коэффициент усиления: 19.6 дБ при 960 МГц
• Рабочее напряжение: 50 В
• Коэффициент шума: Не превышает 1.5 дБ
• Упаковка: SOT-502A

Возможные аналоги

• BLF578XR от NXP Semiconductors: Высоковольтный мощный LDMOS транзистор для RF приложений.
• MRF6VP5600H от NXP Semiconductors: RF LDMOS транзистор для широкополосных приложений.
• PTVA092501MD-V1-R250 от Wolfspeed, Inc: Высокомощный RF транзистор для базовых станций.

Этот высококачественный компонент предоставляется компанией NXP Semiconductors и является одним из лучших выборов для требовательных RF приложений.