A2T21H450W19SR6

A2T21H450W19SR6 от NXP

Общее описание

A2T21H450W19SR6 - это высокоэффективный LDMOS транзистор от компании NXP, предназначенный для применения в системах связи. Данный компонент оптимизирован для работы в диапазоне частот 2110 - 2170 МГц и обеспечивает выходную мощность до 450 Вт с высоким коэффициентом усиления.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: обеспечивает до 450 Вт при работе в диапазоне 2110 - 2170 МГц.
• Высокий коэффициент усиления (19 дБ): эффективность усиления достигает значительных значений, что улучшает производительность системы.
• Низкие тепловые потери: благодаря высокоэффективной архитектуре LDMOS, транзистор демонстрирует превосходные тепловые характеристики.
• Надежность: компонент разработан с учетом строгих стандартов качества и долговечности, что делает его идеальным для длительного использования.

Недостатки

• Стоимость: высокопроизводительные компоненты обычно имеют более высокую стоимость.
• Требовательность к условиям эксплуатации: возможно потребуется дополнительное охлаждение для поддержания оптимальных рабочих условий.

Типовое использование

• Мобильные системы связи: усиление передающих сигналов в базовых станциях.
• Радиопередающие устройства: обеспечивает мощное и надежное усиление для радиопередатчиков.
• Беспроводные коммуникации: оптимизирован для работы в высокочастотных диапазонах, особенно в диапазоне 2110 - 2170 МГц.

Рекомендации по применению

• Обеспечение адекватного охлаждения: высокий уровень мощности требует эффективного охлаждения для предотвращения теплового разрушения.
• Защита: установка дополнительных защитных схем для предотвращения повреждений от перегрузки и коротких замыканий.
• Точная настройка: использование точных компонентов и схем для достижения оптимальных характеристик работы.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: LDMOS RF транзистор
• Диапазон частот: 2110 - 2170 МГц
• Выходная мощность: 450 Вт
• Напряжение питания: 28 В
• Коэффициент усиления: 19 дБ
• Тип корпуса: NI-780S-4

Возможные аналоги

• MRF8S9260HSR3 (NXP): другой LDMOS транзистор с некоторыми сходными характеристиками.
• BLF647 (Ampleon): мощный LDMOS транзистор для радиочастотных приложений.
• MRF151G (NXP): высокомощный транзистор для радиочастотных приложений, предназначенный для широкого спектра частот.