A2T20H330W24SR6

Описание для A2T20H330W24SR6 от NXP

Общее описание: A2T20H330W24SR6 — это мощный RF MOSFET транзистор с LDMOS технологией, предназначенный для усилителей мощности в диапазоне частот до 2.4 ГГц. Производимый NXP, этот компонент обладает отличными характеристиками по мощности и линейности, что делает его идеальным для высокоэффективных приложений.

Преимущества:

• Высокая выходная мощность: до 330 Вт
• Высокий коэффициент усиления: ~17.5 дБ при 2.14 ГГц
• Надёжная работа при высоком напряжении: до 32 В
• Превосходная теплопроводность благодаря специальному корпусу VHV8

Недостатки:

• Требует тщательного проектирования системы охлаждения для предотвращения перегрева
• Высокое напряжение требует точного соблюдения условий эксплуатации

Типовое использование:

• Мобильные связи и телекоммуникационные системы
• Базовые станции и ретрансляторы
• Беспроводные коммуникационные системы
• Радиочастотные усилители мощности

Рекомендации по применению:

• Обеспечить качественное тепловое управление, используя радиаторы или системы активного охлаждения
• Тщательно следить за рабочими параметрами напряжения и тока для обеспечения долгосрочной надежности
• Использовать подходящие схемные решения для минимизации потерь и улучшения линейности

Основные технические характеристики:

• Частотный диапазон: до 2.4 ГГц
• Коэффициент усиления: 17.5 дБ при 2.14 ГГц
• Напряжение на исток-затвор (Vgs): до 32 В
• Ток: до 18 А
• Выходная мощность: до 330 Вт
• Корпус: VHV8

Возможные аналоги:

• MRF151G (NXP): подходит для высокочастотных применений, но имеет другой корпус и мощность
• MRF6VP41KHR6 (NXP): обладает сходными характеристиками, однако с другими конструктивными особенностями

Заключение: A2T20H330W24SR6 — это мощный и надёжный RF MOSFET транзистор, идеально подходящий для приложений, требующих высоких выходных мощностей и надежности. Следует учитывать все рекомендации по применению для обеспечения долговечности и стабильной работы устройства.