A2T18H455W23NR6 от NXP Semiconductors

Общее описание

A2T18H455W23NR6 — это высокопроизводительный LDMOS транзистор для RF приложений от NXP Semiconductors. Продукт ориентирован на использование в мощных усилителях мобильной связи, а именно в диапазоне частот 1805-1880 МГц. Этот компонент обеспечивает отличную линейность, высокую эффективность и надежность, что делает его подходящим для приложений с жесткими требованиями к производительности.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: 45.5 Вт
• Отличная линейность
• Высокая эффективность
• Надежность при длительной эксплуатации

Недостатки

• Узкий диапазон рабочих частот
• Требует продуманной системы охлаждения

Типовое использование

• Мощные региональные и микро-усилители в сетях GSM
• Усилители беспроводной связи
• Базовые станции мобильной связи

Рекомендации по применению

• Используйте подходящие радиаторы или системы охлаждения для предотвращения перегрева.
• Убедитесь в соответствии рабочих напряжений и токов требованиям производителя.
• При необходимости применяйте схемы защиты от перегрузок.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: LDMOS
• Конфигурация: N-канальный
• Диапазон частот: 1805-1880 МГц
• Коэффициент усиления: 23 дБ @ 1880 МГц
• Напряжение работы: 28 В
• Ток потребления: 250 мА
• Мощность на выходе: 45.5 Вт
• Корпус: NI-780S-4
• Монтаж: Поверхностный монтаж (SMD)

Возможные аналоги

• MRF8S18120HR3 от NXP Semiconductors
• BLF8G25LS-140 от Ampleon
• PD55025L-E от STMicroelectronics

Заключение

A2T18H455W23NR6 представляет собой гибкое и эффективное решение для мощных RF приложений, благодаря своим высокими показателям выходной мощности и линейности. Этот транзистор идеально подходит для использования в современных компонентах беспроводной связи, обеспечивая стабильную и надёжную работу.