A2T18H160-24SR3

Описание для A2T18H160-24SR3 от NXP

Общее описание

A2T18H160-24SR3 – это мощный RF MOSFET транзистор из серии Airfast™ от компании NXP, предназначенный для работы в частотном диапазоне от 1805 до 1880 МГц. Этот компонент способен обеспечить среднюю выходную мощность до 160 Вт при напряжении 28 В и подходит для различных применений в беспроводной связи и телекоммуникациях.

Преимущества

• Высокая мощность: Выходная мощность до 160 Вт.
• Повышенная эффективность: Применение технологии LDMOS обеспечивает высокую линейность и КПД.
• Широкий частотный диапазон: Подходит для широкого спектра применений в диапазоне 1805–1880 МГц.
• Надежность и долговечность: Высокая надежность при длительных нагрузках делает этот компонент отличным выбором для телекоммуникационного оборудования.

Недостатки

• Сложность применения: Требуется опыт работы с высокочастотными схемами и RF проектированием.
• Тепловыделение: Необходима эффективная система охлаждения для отвода тепла.

Типовое использование

• Базовые станции мобильной связи
• Усилители мощности в телекоммуникациях
• Беспроводные системы передачи данных
• Системы радиосвязи

Рекомендации по применению

• Обеспечьте надлежащую систему охлаждения для поддержания рабочих температур в пределах допустимых значений.
• Используйте экранирование для минимизации электромагнитных помех.
• Проектируйте схему с учетом особенностей высокочастотных RF компонентов, таких как устойчивость к паразитным индуктивностям и емкостям.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: RF MOSFET
• Технология: LDMOS
• Конфигурация: Одинарный транзистор
• Частотный диапазон: 1805–1880 МГц
• Выходная мощность: До 160 Вт
• Напряжение питания (Vds): 28 В
• Коэффициент усиления: 19.5 дБ при 1880 МГц
• Корпус: NI-780S-4L2L

Возможные аналоги

• MRF8S9260HR3 от NXP – аналогичный транзистор мощностью до 260 Вт для диапазона 900 МГц.
• BLF6G27-50BN от Ampleon – аналогичный транзистор мощностью до 50 Вт для диапазона 2700 МГц.

Используйте A2T18H160-24SR3 для создания мощных и эффективных RF усилителей, которые удовлетворят требованиям современных телекоммуникационных приложений.