A2I25D025NR1

9 600,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

A2I25D025NR1 от NXP

Общее описание

A2I25D025NR1 — это мощный RF MOSFET транзистор, разработанный для работы в диапазоне частот до 2.5 ГГц. Данный транзистор тип LDMOS (латеральный диффузионный MOSFET), производится компанией NXP и предназначен для усиления мощности в RF- и микроволновых приложениях, таких как базовые станции, радиолокационные системы и усилители мощности.

Преимущества

  • Высокая мощность выходного сигнала - до 25 Вт, что делает его идеальным для использования в мощных передатчиках.
  • Высокая линейность и эффективность - уникальная архитектура LDMOS обеспечивает низкий уровень искажений и высокую КПД.
  • Простота интеграции - доступен в компактном корпусе, что упрощает использование в различных проектах.
  • Устойчивость к высоким температурам - отличное тепловое управление благодаря особенностям конструкции.

Недостатки

  • Высокая стоимость - RF MOSFET транзисторы данной категории могут быть достаточно дорогими.
  • Сложность управления - требует сложной схемы управления и радиочастотного экранирования.

Типовое использование

  • Базовые станции мобильной связи - усиление сигнала на уровнях выходной мощности.
  • Радиолокационные системы - использование в передатчиках со сложным циклом импульсов.
  • Усилители мощности - помощь в усилении сигналов в различных RF-системах.

Рекомендации по применению

  • Для достижения максимальной производительности рекомендуем использовать высококачественные радиаторы и системы охлаждения.
  • Убедитесь, что все соединения надежно припаяны и отвечают электрическим требованиям для предотвращения нежелательных потерь мощности и искажений.
  • Следите за правильной импедансной съемкой на входе и выходе для минимизации отражений и максимально эффективного усиления.

Основные технические характеристики

  • Выходная мощность: 25 Вт
  • Рабочее напряжение: 28 В
  • Рабочая частота: до 2.5 ГГц
  • Ток потребления: 420 мА
  • Коэффициент усиления: 18 дБ

Возможные аналоги

  • BLF6G27-10G от Ampleon
  • MRF7S27120H от NXP
  • PTFB212503EL от Infineon Technologies

Используя A2I25D025NR1 от NXP в своих проектах, вы получите исключительно высокую производительность и надежность, что позволяет вам создавать высококачественные RF схемы с минимальными потерями и искажениями.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК