A2I25D025NR1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
A2I25D025NR1 от NXP
Общее описание
A2I25D025NR1 — это мощный RF MOSFET транзистор, разработанный для работы в диапазоне частот до 2.5 ГГц. Данный транзистор тип LDMOS (латеральный диффузионный MOSFET), производится компанией NXP и предназначен для усиления мощности в RF- и микроволновых приложениях, таких как базовые станции, радиолокационные системы и усилители мощности.
Преимущества
- Высокая мощность выходного сигнала - до 25 Вт, что делает его идеальным для использования в мощных передатчиках.
- Высокая линейность и эффективность - уникальная архитектура LDMOS обеспечивает низкий уровень искажений и высокую КПД.
- Простота интеграции - доступен в компактном корпусе, что упрощает использование в различных проектах.
- Устойчивость к высоким температурам - отличное тепловое управление благодаря особенностям конструкции.
Недостатки
- Высокая стоимость - RF MOSFET транзисторы данной категории могут быть достаточно дорогими.
- Сложность управления - требует сложной схемы управления и радиочастотного экранирования.
Типовое использование
- Базовые станции мобильной связи - усиление сигнала на уровнях выходной мощности.
- Радиолокационные системы - использование в передатчиках со сложным циклом импульсов.
- Усилители мощности - помощь в усилении сигналов в различных RF-системах.
Рекомендации по применению
- Для достижения максимальной производительности рекомендуем использовать высококачественные радиаторы и системы охлаждения.
- Убедитесь, что все соединения надежно припаяны и отвечают электрическим требованиям для предотвращения нежелательных потерь мощности и искажений.
- Следите за правильной импедансной съемкой на входе и выходе для минимизации отражений и максимально эффективного усиления.
Основные технические характеристики
- Выходная мощность: 25 Вт
- Рабочее напряжение: 28 В
- Рабочая частота: до 2.5 ГГц
- Ток потребления: 420 мА
- Коэффициент усиления: 18 дБ
Возможные аналоги
- BLF6G27-10G от Ampleon
- MRF7S27120H от NXP
- PTFB212503EL от Infineon Technologies
Используя A2I25D025NR1 от NXP в своих проектах, вы получите исключительно высокую производительность и надежность, что позволяет вам создавать высококачественные RF схемы с минимальными потерями и искажениями.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.