A2I22D050NR1

Описание компонента A2I22D050NR1 от NXP

Общее описание

A2I22D050NR1 — это высокопроизводительный RF MOSFET транзистор, произведенный компанией NXP. Он оптимизирован для работы на частотах в диапазоне 1.8 ГГц до 2.2 ГГц, что делает его идеальным выбором для приложений в области телекоммуникаций и беспроводной связи. Этот транзистор выполнен по технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor), что обеспечивает высокую надежность и эффективность.

Преимущества

• Высокий коэффициент усиления: 31.1 дБ, что обеспечивает отличную производительность при меньших затратах мощности.
• Высокая выходная мощность: до 5.3 Вт, что позволяет использовать компонент в мощных радиочастотных приложениях.
• Надежность и долговечность: благодаря технологии LDMOS и высококачественным материалам.
• Повышенная тепловая стойкость: эффективное рассеивание тепла благодаря корпусу TO-270WB-15.

Недостатки

• Диапазон частот: ограничен до 2.2 ГГц, что может быть неподходящим для приложений с более высокими частотами.
• Устаревший статус: данный компонент находится в статусе Obsolete, что означает возможные проблемы с доступностью на рынке.

Типовое использование

• Радиочастотные усилители (RF Amplifiers)
• Телекоммуникационные системы
• Базовые станции
• Беспроводные коммуникации
• Устройства радиосвязи

Рекомендации по применению

• Правильное охлаждение: необходимо предусмотреть эффективные решения для отвода тепла для поддержания стабильной работы.
• Тестирование и отладка: проводить регулярные испытания компонентов в рабочем режиме для обеспечения надежности и долговечности.

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS
• Конфигурация: Два N-канальных транзистора
• Частотный диапазон: 1.8 ГГц – 2.2 ГГц
• Коэффициент усиления: 31.1 дБ
• Тестовое напряжение: 28 В
• Тестовый ток: 520 мА
• Выходная мощность: 5.3 Вт
• Номинальное напряжение: 65 В
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж
• Корпус / корпус:: TO-270WB-15

Возможные аналоги

• MRF8P20180H: альтернатива от NXP с похожими характеристиками.
• BLF6G22-50BN: RF усилитель от Ampleon для приложений в аналогичной частотной области.

Заключение

A2I22D050NR1 от NXP — это высокоэффективный RF MOSFET транзистор, который идеально подходит для использования в различных радиочастотных и телекоммуникационных приложениях. Однако, важно учитывать его статус Obsolete и заранее прорабатывать возможные заменители для долгосрочных проектов.