A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3 NXP

Общее описание

A2G35S200-01SR3 — это высокоэффективный GaN HEMT транзистор от NXP, разработанный для использования в устройствах радиочастотной связи. Он обеспечивает высокую мощность и высокий коэффициент усиления, что делает его идеальным для применения в базовых станциях и других передатчиках связи.

Преимущества

• Высокий коэффициент усиления
• Высокая выходная мощность
• Работа на частотах до 3.8 ГГц
• Высокая линейность и эффективность

Недостатки

• Высокая выходная мощность требует соответствующего теплоотвода.
• Может быть дорогим для некоторых приложений.

Типовое использование

• Базовые станции сотовой связи
• Переносные и стационарные передатчики
• Усилители мощности
• Военные коммуникационные системы

Рекомендации по применению

• Используйте хороший теплоотвод для отвода тепла от корпуса транзистора.
• Следите за напряжениями и токами, чтобы избежать перегрузки и повреждений устройства.
• Обеспечьте надлежащую фильтрацию и декуплирование питания для минимизации шума.

Основные технические характеристики

• Частотный диапазон: 3.5 ГГц
• Коэффициент усиления: 16.1 dB
• Напряжение питания: 48 В
• Ток: 291 мА
• Выходная мощность: 180 Вт
• Тип корпуса: NI-400S-2S
• Линейность: Высокая

Возможные аналоги

• CGH40010F от Wolfspeed
• CGA3E14M от Qorvo
• LDMOS транзисторы от других производителей

Заключение

A2G35S200-01SR3 от NXP является мощным и надежным выбором для приложений в радиочастотных коммуникациях, предоставляя высокие показатели усиления и мощности. Однако важно соблюдать рекомендации по теплоотводу и управления параметрами для защиты устройства.