A2G35S160-01SR3

A2G35S160-01SR3 от NXP

Общее описание

A2G35S160-01SR3 - это высокоэффективный радиочастотный MOSFET транзистор на основе нитрида галлия (GaN) от компании NXP. Он специально разработан для применения в базовых станциях сотовой связи и других радио- и телекоммуникационных системах. Этот компонент предоставляет высокую мощность и низкие потери, что позволяет реализовывать высокоэффективные решения для беспроводных сетей следующего поколения.

Преимущества

• Высокая мощность: Максимальная выходная мощность 51 дБм.
• Широкий рабочий диапазон: В частотном диапазоне от 3.4 до 3.6 ГГц.
• Низкие потери: Технология на основе GaN обеспечивает высокую эффективность.
• Компактный корпус: Поверхностная установка корпусного исполнения NI-400S-2S.

Недостатки

• Обозначен как устаревший: Это может затруднить поиск запасных частей и техническую поддержку.
• Высокая стоимость: Технология GaN может быть дороже по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.

Типовое использование

• Базовые станции сотовой связи
• Радиолокационное оборудование
• Радиочастотные усилители мощности
• Системы беспроводной связи

Рекомендации по применению

• Теплоотвод: Обеспечение адекватного теплоотвода для предотвращения перегрева.
• Частотные фильтры: Использование соответствующих фильтров для минимизации помех.
• Экранирование: Обеспечение экранирования для снижения уровня радиочастотных интерференций.

Основные технические характеристики

Возможные аналоги

• MRF8S9260HSR3 от NXP: MOSFET транзистор с аналогичными характеристиками для радиочастотных применений.
• ABL-2000H245C от Ampleon: Высокомощный GaN транзистор для радиочастотных усилителей.

Используйте A2G35S160-01SR3 для создания высокоэффективных и мощных радиочастотных систем, оптимизированных для современного беспроводного общения.