A2G22S160-01SR3

6 720,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

A2G22S160-01SR3 от NXP

Общее описание

A2G22S160-01SR3 — это мощный высокочастотный транзистор (RF MOSFET) от компании NXP. Этот компонент оптимизирован для работы в частотном диапазоне до 2200 МГц, обеспечивая высокую линейность и мощность выходного сигнала. Он подходит для применения в оборудовании для беспроводной связи, базовых станциях и других высокочастотных устройствах.

Преимущества

  • Высокая мощность: Обеспечивает мощность выхода до 160 Вт при 2200 МГц, что делает его оптимальным для использования в передающих устройствах.
  • Линейность: Высокая линейность сигнала позволяет использовать его в системах, требующих минимальных искажений.
  • Низкие тепловые потери: Оптимизированная конструкция корпуса и эффективность работы обеспечивают низкие тепловые потери и упрощают отвод тепла.
  • Надежность и долговечность: Высокая степень защищенности и стабильная работа при различных условиях эксплуатации.

Недостатки

  • Требовательность к охлаждению: Необходимы эффективные системы охлаждения для обеспечения длительной работы на высокой мощности.
  • Специфичные требования к монтажу: Комплексность монтажа RF компонентов может требовать дополнительных навыков или оборудования.

Типовое использование

  • Базовые станции беспроводной связи
  • Мощные передатчики
  • Системы широкополосного доступа
  • Радиолокационные системы

Рекомендации по применению

  • Внимательно следите за температурным режимом устройства и используйте радиаторы или системы жидкостного охлаждения для отвода тепла.
  • Обеспечьте надежное соединение между компонентами схемы, чтобы избежать потерь сигнала и падения напряжения.
  • Используйте качественные печатные платы и материалы с низким уровнем потерь.

Основные технические характеристики

  • Частотный диапазон: до 2200 МГц
  • Выходная мощность: до 160 Вт
  • Коэффициент усиления: около 19.6 дБ
  • Рабочее напряжение: 48 В
  • Ток покоя: 150 мА
  • Корпус: NI-1230S (SOT-467C)
  • Тепловое сопротивление: 0.17 °C/W

Возможные аналоги

  • MRF282SR1 от NXP
  • BLF574 от Ampleon
  • PD55003-E от STMicroelectronics

Применяя A2G22S160-01SR3 в ваших проектах, вы получите надежный и эффективный компонент для работы в высокочастотных диапазонах с минимальными искажениями и высокой выходной мощностью.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК