MSC2X100SDA120J

23,760.00 ₽
availability: In Stock
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Description

MSC2X100SDA120J от Microchip


Общее описание

MSC2X100SDA120J - это диодный модуль, включающий в себя два независимых кремниевых карбидных (SiC) Шоттки-диода. Работает в высоковольтных и высокомощных приложениях благодаря способности выдерживать обратное напряжение до 1200 В и средний прямой ток до 100А. Устанавливается на шасси благодаря корпусу SOT-227-4 (miniBLOC).

Преимущества

  • Высокая эффективность: Низкий уровень прямого напряжения и отсутствие времени восстановления заряда.
  • Высокая надежность: Прочный кремниевый карбидный материал обеспечивает работу в жестких условиях и при высоких температурах.
  • Компактный корпус: SOT-227-4 (miniBLOC) для легкости монтажа и охлаждения.

Недостатки

  • Стоимость: Диоды на базе SiC могут быть дороже по сравнению с традиционными кремниевыми диодами.
  • Чувствительность к условиям монтажа: Требует надлежащих условий отведения тепла для работы на максимально допустимых параметрах.

Типовое использование

  • Источники питания высокой мощности
  • Электрические транспортные средства
  • Силовые инверторы и преобразователи
  • Автотрансформаторы и бесконтактные зарядные устройства
  • Промышленные установки и электросетевые системы

Рекомендации по применению

  • Тепловое управление: Обеспечьте адекватное охлаждение модуля, используя радиаторы или активные системы охлаждения.
  • Правильное соединение: Следуйте рекомендациям производителя и стандартам монтажа для высоковольтных компонентов.
  • Тестирование и верификация: Перед внедрением в серийное производство проведите комплексные испытания модуля в реальных условиях эксплуатации.

Основные технические характеристики

  • Конфигурация диодов: 2 независимых
  • Технология: SiC (кремниевый карбид) Шоттки
  • Максимальное обратное напряжение (Vr): 1200 В
  • Средний прямой ток (Io): 100 А (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) при заданном токе (If): 1.8 В при 100 А
  • Время восстановления заряда (trr): 0 нс
  • Ток обратной утечки (Ir) при Vr: 400 мкА при 1200 В
  • Температурный диапазон работы (Tj): -55°C ~ 175°C
  • Корпус: SOT-227-4 (miniBLOC)
  • Тип монтажа: На шасси

Возможные аналоги

  1. IXYS - DSS1201X: аналогичный по характеристикам SiC диодный модуль.
  2. Infineon - FF100R12RT4: шоттки-диод с похожими параметрами для высоковольтных приложений.
  3. ROHM - SCT2H12NZGC11: кремниевый карбидный диод для применения в святленных мощностях.

Этот модуль идеально подходит для высокомощных и высоковольтных применений, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Details

Упс!

Sorry, it looks like some products are not available in selected quantity.

OK