ART2K0TFESJ

ART2K0TFESJ от Ampleon

Общее описание

ART2K0TFESJ—это мощный транзистор RF MOSFET, разработанный компанией Ampleon. Этот компонент предназначен для применения в области радиочастотных усилителей (RF) и отличается высокой выходной мощностью, стабильностью и эффективностью. ART2K0TFESJ идеально подходит для использования в радиопередающих устройствах, обеспечивая высокую производительность в широком диапазоне частот.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: до 2000 Вт
• Широкий диапазон частот: от 1 МГц до 400 МГц
• Высокий коэффициент усиления: 29 дБ
• Низкое напряжение питания: 65 В, что делает его совместимым с различными источниками питания
• Компактный форм-фактор: обеспечивает гибкость в проектировании схем

Недостатки

• Требует эффективного охлаждения: как и большинство мощных транзисторов, требует тщательного управления тепловыми условиями
• Высокая стоимость: в сравнении с менее мощными аналогами

Типовое использование

• Радиопередающие устройства
• Системы радиосвязи и радаров
• Мощные усилители звуковых частот

Рекомендации по применению

• Обеспечение теплового управления: использование радиаторов или активного охлаждения для поддержания стабильной работы
• Правильная разводка на плате: минимизация паразитных индуктивностей и обеспечение хорошего заземления

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS (Dual)
• Конфигурация: 2 N-Channel
• Частотный диапазон: 1 МГц ~ 400 МГц
• Коэффициент усиления: 29 дБ
• Напряжение тестирования: 65 В
• Ток утечки: 2.8 µA
• Ток тестирования: 100 мА
• Максимальная выходная мощность: 2000 Вт
• Рейтинг по напряжению: 200 В
• Корпус: ACC-1230-6F-2
• Пакет поставки: ACC-1230-6F-2

Возможные аналоги

• MRF101AN от NXP Semiconductors
• BLF645 от Ampleon

ART2K0TFESJ предоставляет отличное сочетание мощности и надежности, делая его идеальным выбором для высокопроизводительных приложений в области радиочастотных усилителей.