APT58M80J

APT58M80J от Microchip

Общее описание

APT58M80J - это мощный N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для использования в цепях, требующих работы с высокими напряжениями и большими токами. Он поставляется в корпусе SOT-227, что способствует надежному монтажу и эффективному теплоотводу.

Преимущества

• Высокое напряжение стока-истока (Vdss) до 800 В, что позволяет использовать компонент в высоковольтных приложениях.
• Большой максимальный непрерывный ток стока (Id) до 60 А, что делает его идеальным для применения в мощных нагрузках.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds On), достигающее 110 мОм, что способствует снижению потерь при коммутации.
• Высокая мощность рассеивания (до 960 Вт), обеспечивая эффективное управление тепловым режимом.

Недостатки

• Высокая стоимость по сравнению с менее мощными аналогами.
• Требуется эффективное охлаждение для использования полной мощности.

Типовое использование

• Инверторы и источники бесперебойного питания (ИБП).
• Преобразователи частоты и силовая электроника.
• Системы управления двигателями и двигательные драйверы.
• Высоковольтные коммутаторы и управляемые силовые цепи.

Рекомендации по применению

• Обеспечьте достаточное охлаждение и вентиляцию, чтобы минимизировать тепловые нагрузки на компонент.
• Используйте соответствующие драйверы для управления MOSFET, чтобы добиться максимальной эффективности и быстроты переключения.
• Учитывайте допустимый диапазон напряжений Vgs при проектировании схемы для предотвращения повреждений.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение стока-истока (Vdss): 800 В
• Максимальный непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 60 А (Tc)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds On): 110 мОм при 43А и Vgs = 10 В
• Максимальная мощность рассеивания (Pd): 960 Вт
• Максимальное напряжение управления затвором (Vgs): ±30 В
• Емкость затвор-исток (Ciss): 17550 пФ при Vds = 25 В
• Корпус: SOT-227
• Диапазон рабочих температур: -55°C ~ 150°C (Tj)

Возможные аналоги

• APT50M60J - N-канальный MOSFET с аналогичными параметрами, но меньшими токовыми характеристиками.
• APT75M80J - еще один высоковольтный MOSFET от того же производителя, с большими допускаемыми токами.

Microchip предлагает качественные и надежные компоненты, способные удовлетворить требовательные потребности силовой электроники. APT58M80J является отличным примером высоковольтного силового транзистора, подходящего для широкого спектра приложений.